1
Samsung расширила линейку памяти DRAM, представив модуль DDR5 объемом 512 ГБ, основанный на техпроцессе High-k Metal Gate (HKMG). Новый модуль памяти разработан для удовлетворения требований ресурсоёмких рабочих нагрузок с высокой пропускной способностью в области суперкомпьютеров, искусственного интеллекта (AI) и машинного обучения (ML).