1
Фуданьский университет создал самую быструю память в мире — китайские учёные разработали чип PoX. Она в 10,000 раз быстрее, чем обычная флеш‑память.
При этом устройства на PoX смогут включаться моментально, и память не будет греться даже при обработке огромных объёмов данных. Кроме того, у PoX ещё и минимальное энергопотребление. В общем, это не просто новый шаг для флеш-памяти, а новый класс памяти.
Помимо холодных и долго работающих ноутбуков и смартфонов получится решить проблему с бутылочным горлышком современных ускорителей, которым приходится постоянно копировать информацию между DRAM, SRAM и флеш-памятью. PoX совмещает быстроту ОЗУ и энергонезависимость флеша, так что копировать ничего не придётся.
Если китайские компании смогут поставить производство PoX на поток, то у них получится стать лидером в сегменте памяти, где многие годы правят Samsung, Kioxia и Micron.
Источник:
https://t.me/zavtracast/29396