1
Микросхемы памяти
В Windbond Electronics разработали микросхему флеш памяти SRI NOR типа плотностью 512 МБ, рассчитанную на напряжение питания 1.8В.
Новинка поддерживает три варианта частоты синхронизации вплоть до 166 МГц. Это, и совместимость корпуса по выводам с микросхемами на чипах с меньшей плотности, обещает возможность наращивания объёма флеш памяти в выпускаемых устройствах.
Новинка поддерживает SDR 166 МГц и DDR 80 МГц, это позволяет выполнять программы непосредственно во флеш-память (такой режим называют XIP).
Новые микросхемы W25Q512NW можно собирать в стеки на 1 Гбит или 2 Гбит. Стек, например, из двух микросхем, поддерживает операцию чтения во время записи, можно выполнить операцию OTA обновления без прекращения операций чтения. Даже если пропадёт питание, данные прошивки не пострадают. Такая память может пригодиться в модемах 5G или в устройствах периферийных вычислений 5G и тп.
В серию новинка пойдёт в 2H2021.
Источник:
www.ixbt.com